Si todo va según lo planeado, el Snapdragon 8 Gen 4 se lanzará oficialmente en octubre y los miembros de la serie Xiaomi 15 serán los primeros en obtenerlo. Según la noticia, el chipset podrá ofrecer un rendimiento gráfico excepcional, pero el chipset apareció recientemente en la base de datos Geekbench, lo que puede revelar detalles sobre las capacidades del procesador.
Parece que han llegado los primeros resultados de Geekbench para un dispositivo que tiene un chipset Snapdragon 8 Gen 4 en su interior. El dispositivo probado obtuvo 2884 puntos en las pruebas de un solo núcleo y terminó las pruebas de múltiples núcleos con 8840 puntos.
No hemos recibido ninguna información sobre el rendimiento de la GPU, pero a partir de estos resultados se puede calcular que el rendimiento de la CPU es un 30 por ciento mejor en comparación con la generación anterior, y las mediciones de un solo núcleo pueden indicar una mejora de hasta el 35 por ciento. . el GSMArena El equipo hizo la comparación, incluido el Xiaomi 14 (dado que la serie 15 será la primera en recibir el nuevo chipset, es una elección perfectamente buena), el modelo actual terminó las pruebas sintéticas con 2125 y 6810 puntos.
La parte más emocionante de todo esto es que todavía se trata de un prototipo de preproducción largo, lo que significa que después de algunos ajustes, podremos ver un aumento aún mayor en el rendimiento en la versión final. En cuanto al Snapdragon 8 Gen 4, Qualcomm utilizará su arquitectura llamada Nuvia para construir la CPU (en lugar de los habituales núcleos ARM Cortex), que constará de 2 y 6 núcleos. reunión.
La velocidad del reloj del conjunto de núcleos de doble núcleo será muy impresionante, si hay que creer en los informes iniciales: sus núcleos de procesador alcanzarán los 4,09 GHz. Los seis núcleos energéticamente eficientes pueden funcionar a 2,78 GHz.
El fabricante americano puede confiar la tarea de aceleración de gráficos a la GPU Adreno 830. El chipset de gama alta de Qualcomm se producirá mediante el proceso de fabricación de 3 nm de TSMC.
fuente: GSMArena
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